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      电光效应是由于施加直流或低频电场而导致的折射率变化。 施加到各向异性电光材料上的场可以改变其折射率,从而改变其对偏振光的影响。 折射率对所施加电场的依赖性有两种形式:线性电光效应和二次电光。 电子光学仪器

 

       可用于生产可控光学设备,例如Q开关应用。

 

       如果线偏振光穿过EO晶体,则对于KD * P,An将引起a = r =2πOnL的相位延迟(T),其中L是晶体长度,例如An = 0.5∩30F6sE/ N, r = Fx3E / n的πLn3。 显然,光的相位将随电场(E)一起变化。 这称为电光相位调制。 如果将两个交叉的偏振器分别放置在E-O晶体的输入和输出端,如(振幅调制器)所示,则光的输出强度将为|。 =I。sin2(G / 2),其中l。是输入强度。 这意味着光的强度或幅度也可以通过电场进行调制。 这称为幅度调制。

 

 

       E-O调制有两种。 如果电场和光的传播方向相同,则为纵向E-O调制(如纵向调制所示)。 该方案中通常使用KDP同晶晶体。 如果电场和光的传播方向是垂直的,则称为横向E-O调制(请参阅“横向调制”)。 在该方案中通常使用LiNbO3,MgO:LiNbO3,ZnO:LiNbO3,BBO和KTP晶体。

 

         半波电压(V)定义为使T =π的电压,例如V = 2 /(2nre3)对于LiNbO3,KD * P和V =λd/(2nr22L),其中λ是光波长,d是光波长之间的距离电极。

 

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